معالجات 4 بت:

 إنتل 4004: 

أول معالج ميكروي (µP) أحادي الرقاقة

تاريخ الإدخال في العمل 15 نوفمبر 1971

تردد الساعة 740 كيلوهرتز

الطاقة المقدرة 0.06 MIPS

عرض الممر 4 بت (إرسال تعاقبي متعدد للعناوين والبيانات نظرا لمحدودية الأرجل pins )

تعمل وتتكون من نظام PMOS

عدد الترانزستورات 2،300 على 10 ميكرومتر

الذاكرة القابلة للعنونة 640 بايت

ذاكرة البرنامج 4 كيلوبايت

أول معالج مكروي تجاري (F14 CADC)

استعمل في آلة شركة بوسيكوم (Busicom) الحاسبة.

كانت الغاية الوصول إلى تردد ساعة يعادل التردد المستخدم في حاسوب IBM 1620 لكن ذلك لم يتحقق.

4040

تاريخ الإدخال في العمل الربع الأخير من سنة 1974

تردد الساعة من 500 إلى 740 كيلوهرتز (باستعمال كريستالات بتردد من 4 إلى 5.185 ميجاهيرتز(

الطاقة المقدرة 0.06 MIPS

عرض الممر 4 بت (إرسال تعاقبي متعدد للعناوين والبيانات نظرا لمحدودية الأرجل pins)

تعمل وتتكون من نظام PMOS

عدد الترانزستورات 3000 على 10 ميكرومتر

الذاكرة القابلة للعنونة 640 بايت

ذاكرة البرنامج 8 كيلوبايت

أشعة المقاطعة (Interrupts)

نسخة متطورة من 4004

معالجات 8 بت:

8008

تاريخ الإدخال في العمل 1 أبريل 1972

تردد الساعة 500 كيلوهرتز (8008-1: 800 كيلوهرتز)

الطاقة المقدرة 0.05 MIPS

عرض الممر 8 بت (إرسال تعاقبي متعدد للعناوين والبيانات نظرا لمحدودية الأرجل pins)

نصف ناقل أكسيد المعدن ذو القناة P

عدد الترانزستورات 3500 على 10 ميكرومتر

الذاكرة القابلة للعنونة 16 كيلوبايت

شائع في الطرفيات الخاملة، الآلات الحاسبة، آلات التعليب Typical in dumb terminals، general calculators، bottling machines

طور بالتوازي مع 4004

الغرض الأصلي من تطويره كان استعماله ضمن الطرفية داتابوينت 2200 (Datapoint 2200)

8080

تاريخ الإدخال في العمل 1 أبريل 1974

تردد الساعة 2 ميجاهرتز

الطاقة المقدرة 0.64 MIPS

عرض ممر المعطيات 8 بت، ممر العناوبن 16 بت

نصف ناقل أكسيد معدني ذو القناة N

عدد الترانزستورات 6000 على 6 ميكرومتر

الذاكرة القابلة للعنونة 64 كيلوبايت

تضاعف الآداء 10 مرات عن 8008

استخدم في التاير 8800 (Altair 8800)، متحكمات إشارات المرور، صواريخ كرويز Used in the ألتير 8800، Traffic light controller، cruise missile

يحتاج إلى 6 رقائق محيطة بالمقارنة مع 20 رقاقة مستخدمة في المعالج 8008

8085

تاريخ الإدخال في العمل مارس 1976

تردد الساعة 5 ميجاهرتز

الطاقة المقدرة 0.37 MIPS

عرض ممر المعطيات 8 بت، ممر العناوبن 16 بت

عدد الترانزستورات 6500 على 3 ميكرومتر

لغة التجميع متوافقة ارتجاعيا مع 8080.

استخدم في مقياس توليدو كما استخدم في متحكمات الدخل والخرج (مودم، أقراص صلبة...الخ).

استخدمت النسخة المبنية على تكنولوجيا CMOS في الحاسب المحمول تي آر إس-80 موديل 100

مستوى عالي التكامل (High level of integration)، أول معالج يعمل بجهد 5 فولت بدلا من 20 فولت. كما يحتوي على وصلتي إدخال وإخراج تسلسليتين

معالجات 16 بت: بداية التصميم إكس 86:

8086

تاريخ الإدخال في العمل 8 يونيو 1978

ترددات الساعة:

5 ميجاهرتز بطاقة مقدرة 0.33 MIPS

8 ميجاهرتز بطاقة مقدرة 0.66 MIPS

10 ميجاهرتز بطاقة مقدرة 0.75 MIPS

عرض ممر المعطيات 16 بت، ممر العناوبن 20 بت

عدد الترانزستورات 29000 على 3 ميكرومتر

الذاكرة القابلة للعنونة 1 ميجابايت

تضاعف الآداء 10 مرات عن 8080

استخدم في الحواسب المحمولة

يستخدم مسجلات القطاع (segment registers) لتقسيم الذاكرة إلى 16 مقطع (segments) كل منها بحجم 64 كيلوبايت مما يسهل الوصول المباشر إلى كل مقطع.

8088

تاريخ الإدخال في العمل 1 يونيو 1979

ترددات الساعة:

5 ميجاهرتز بطاقة مقدرة 0.33 MIPS

8 ميجاهرتز بطاقة مقدرة 0.75 MIPS

عرض ممر المعطيات 8 بت، ممر العناوبن 20 بت

عدد الترانزستورات 29000 على 3 ميكرومتر

الذاكرة القابلة للعنونة 1 ميجاباي

مطابق لـ 8086 الفرق الوحيد في عرض ممر المعطيات

استخدم في حاسب آي بي إم الحاسب الشخصي والحواسب المتطابقة معه.

iAPX 432

تاريخ الإدخال في العمل 1 يناير 1981

وحدة معالجة مركزية متعددة الرقائق; أول معالج ميكروي لإنتل بحجم كلمة يبلغ 32 بت

80186

تاريخ الإدخال في العمل 1982

استخدم غالبا في التطبيقات المدمجة كالمتحكمات (controllers)، نظم نقاط البيع (point-of-sale systems) والمنافذ (terminals)

تميز عن المعالجات السابقة بدمج عدد من الدارات التخصصية إلى رقاقة المعالج كمولدي التزامن (Timer)، متحكم الوصول المباشر للذاكرة (DMA controller)و متحكم المقاطعة (interrupt controller).

أعيدت تسميته لاحقا إلى iAPX 186

80188

نسخة من 80186 مع ممر معطيات بعرض 8 بت بدلا من 16 بت.

أعيدت تسميته لاحقا إلى iAPX 188

80286

تاريـخ الإدخال في العمل 1 فبراير 1982

ترددات الساعة:

6 ميجاهرتز بطاقة مقدرة 0.9 MIPS

8 ميجاهرتز، 10 ميجاهرتز بطاقة مقدرة 1.5 MIPS

12.5 ميجاهرتز بطاقة مقدرة 2.66 MIPS

عرض ممر المعطيات 16 بت، ممر العناوبن 24 بت

عدد الترانزستورات 134000 على 1.5 ميكرومتر

الذاكرة القابلة للعنونة 16 ميجابايت

بإمكانه استخدام الذاكرة الافتراضية (Virtual Memory) عند الضرورة

يدعم نمطي تشغيل مختلفين:

حقيقي (Real Mode): يحاكي عمل المعالج 8086

محمي (Protected Mode): يتيح التعامل مع 16 ميجابايت من الذاكرة الحقيقية. كما يقوم بحماية مجالات الذاكرة من التداخل عند إجراء مهام متعددة بنفس الوقت.

تضاعف الآداء من 3 إلى 6 مرات عن 8086

استخدم على نطاق واسع في الحاسوب الشخصي (PC) والحواسب المتطابقة معه.

Can scan the موسوعة بريتانيكا in 45 seconds

معالجات 32BIT: المعالجات غير x86 µPs:

 iAPX 432

Introduced 1 يناير، 1981 as Intel's first 32-bit microprocessor

Object/capability architecture

Microcoded operating system primitives

One terabyte virtual address space

Hardware support for fault tolerance

Two-chip General Data Processor (GDP)، consists of 43201 and 43202

43203 Interface Processor (IP) interfaces to I/O subsystem

43204 Bus Interface Unit (BIU) simplifies building multiprocessor systems

43205 Memory Control Unit (MCU)

Architecture and execution unit internal data paths 32 bit

Clock speeds:

5 ميجاهيرتز

7 ميجاهيرتز

8 ميجاهيرتز

i960 aka 80960

Introduced 5 أبريل، 1988

RISC-like 32-bit architecture

predominantly used in embedded systems

Evolved from the capability processor developed for the BiiN joint venture with سيمنز

Many variants identified by two-letter suffixes.

80386SX

Introduced 16 يونيو، 1988

80376

Introduced 16 يناير، 1989

i860 aka 80860

Introduced 27 فبراير، 1989

Intel's first وحدة سلمية فائقة processor

مجموعة تعليمات بنية الحاسب 32/64-bit architecture، with pipeline characteristics very visible to programmer

Used in Intel Paragon massively parallel supercomputer

XScale

Introduced 23 أغسطس، 2000

32-bit مجموعة تعليمات بنية الحاسب microprocessor based on the إيه.آر.إم (معالج)

Many variants، such as the PXA2xx applications processors، IOP3xx I/O processors and IXP2xxx and IXP4xx network processors.

معالجات 32 بت: عائلة 80386:

 80386DX

تاريخ الإدخال في العمل 17 أكتوبر 1985

ترددات الساعة:

16 ميجاهرتز بطاقة مقدرة من 5 إلى 6 MIPS

16 فبراير 1987 20 ميجاهرتز بطاقة مقدرة من 6 إلى 7 MIPS

4 أبريل 1988 25 ميجاهرتز بطاقة مقدرة 8.5 MIPS

10 أبريل 1989 33 ميجاهرتز بطاقة مقدرة 11.4 MIPS

عرض ممر المعطيات 32 بت، ممر العناوبن 32 بت

نصف ناقل أكسيد معدني متمم (CMOS)

عدد الترانزستورات 275000 على 1 ميكرومتر

الذاكرة القابلة للعنونة 4 غيغابايت

الذاكرة الافتراضية 64 تيرابايت

أول رقاقة بتصميم x86 قادرة على التعامل مع حجم كلمة 32 بت

تحسين نمط التشغيل المحمي وإضافة نمط جديد هو النمط الافتراضي (virtual mode) الذي يستطيع أن يحاكي عددا من معالجات 8086 في نفس الوقت.

إضافة خصائص يتطلبها نظامي تشغيل ويندوز 95 وأو إس/2

استعمل في الحاسبات المكتبية

80960 (i960

تاريخ الإدخال في العمل 5 أبريل 1988

80386SX

تاريخ الإدخال في العمل 16 يونيو 1988

ترددات الساعة:

16 ميجاهرتز بطاقة مقدرة 2.5 MIPS

25 يناير 1989 20 ميجاهرتز بطاقة مقدرة MIPS 2.5 و 25 ميجاهرتز بطاقة مقدرة 2.7 MIPS

26 أكتوبر 1992 33 ميجاهرتز بطاقة مقدرة 2.9 MIPS

عرض ممر المعطيات 16 بت

عدد الترانزستورات 275000 على 1 ميكرومتر

الذاكرة القابلة للعنونة 16 ميغابايت

الذاكرة الافتراضية 256 غيغابايت

عرض ممر العناوين 16 بت يسمح بمعالجة بعرض 32 بت بتكاليف منخفضة

يدعم تعدد الوظائف (multitasking)

استعمل في الحواسب المكتبية والمحمولة الأولى

80376

تاريخ الإدخال في العمل 16 يناير 1989; أوقف العمل به بتاريخ 15 يونيو 2001

أحد معالجات عائلة 386 مخصص للأنظمة المدمجة

من دون "نمط حقيقي"، يقلع مباشرة بوضعية "نمط محمي"

تم استبداله في عام 1994 بالمعالج 80386EX
80860 (i860)

تاريخ الإدخال في العمل 27 فبراير 1989
80486DX 

تاريخ الإدخال في العمل 10 أبريل 1989

80386SL

تاريخ الإدخال في العمل 15 أكتوبر 1990

ترددات الساعة:

20 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 4.21 MIPS

30 سبتمبر 1991 25 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 5.3 MIPS

عرض ممر المعطيات 16 بت

عدد الترانزستورات 855000 على 1 ميكرومتر

الذاكرة القابلة للعنونة 4 غيغابايت

الذاكرة الافتراضية 64 تيرابايت

أول رقاقة تم تصميمها بشكل خاص للحواسب المحمولة حيث تتميز باستهلاك منخفض للطاقة

له خصائص مدمجة عالية حيث يتضمن متحكمات الذاكرة المخبئية والذاكرة الرئيسية وممرات النقل
80486SX/DX2/SL، بنتيوم، 80486DX4 

تاريخ الإدخال في العمل 1991 - 1994

80386EX

تاريخ الإدخال في العمل أوغسطس 1994

نوع مشابه للمعالج 80386SX مخصص للأنظمة المدمجة

إمكانية التحكم بتردد الساعة وتبطيئ المعالج حتى الصفر باستخدام نمط التوقف الحقيقي الذي يحفظ حالة العمل الكاملة للرقاقة في الذاكرة مع استهلاك أصغري للطاقة

الطرفيات على الرقاقة:

متحكمات الساعة والطاقة

مولدات تزامن (مؤقتات)/عدادات

مؤقت المراقب

وحدات دخل/خرج تسلسلية (متزامنة وغير متزامنة) وتفرعية

الوصول المباشر للذاكرة (DMA)

ذلكرة وصول عشولئي متجددة (Refresh RAM)

JTAG دارة الاختبار المنطقية

لاقى نجاحا واسعا أكثر من المعالج 80376

استعمل في الأقمار الاصطناعية كما استخدمته ناسا في مشروعها فلايتلينوكس (FlightLinux)

معالجات 32 بت : عائلة 80486:

80486DX

 تاريخ الإدخال في الشغل 10 أبريل 1989

ترددات الساعة:

25 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 20 MIPS

7 مايو 1990 33 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 27 MIPS

24 يونيو 1991 50 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 41 MIPS

عرض ممر المعطيات 32 بت، ممر العناوين 32 بت

عدد الترانزستورات 1.2 مليون على 1 ميكرومتر (0.8 ميكرومتر لنموذج الـ 50 ميجاهيرتز)

الذاكرة القابلة للعنونة 4 غيغابايت

الذاكرة الافتراضية 64 تيرابايت

تحتوي الرقاقة على ذاكرة مخبئية من المستوى الأول (Level 1 cache) مدمجة، 8 كيلوبايت

تضاعف الآداء 50 مرة عن 8080

استعمل في الحواسب المكتبية والمخدمات
80386SL 

تاريخ الإدخال في العمل 15 أكتوبر 1990

80486SX

تاريخ الإدخال في العمل 22 أبريل 1991

ترددات الساعة:

16 سبتمبر 1991 16 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 13 MIPS و 20ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 16.5 MIPS

16 سبتمبر 1991 25 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 20 MIPS

21 سبتمبر 1992 33 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 27 MIPS

عرض ممر المعطيات 32 بت، ممر العناوين 32 بت

عدد الترانزستورات 1.185 مليون على 1 ميكرومتر و 900000 على 0.8 ميكرومتر

الذاكرة القابلة للعنونة 4 غيغابايت

الذاكرة الافتراضية 64 تيرابايت

ذاكرة مخبئية من المستوى الأول (Level 1 cache) مدمجة، 8 كيلوبايت

يختلف عن المعالج 80486DX فقط بعدم وجود معالج مساعد رياضي (math coprocessor)

استخدم في الحواسب المكتبية قليلة التكلفة والتي تستعمل معالجات من عائلة 80486

تمت ترقيته بمعالج إنتل المطور (Intel OverDrive)

80486DX2

تاريخ الإدخال في العمل 3 مارس 1992

ترددات الساعة:

50 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 41 MIPS

10 أغسطس 1992 66 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 54 MIPS

عرض ممر المعطيات 32 بت، ممر العناوين 32 بت

عدد الترانزستورات 1.2 ميليون على 0.8 ميكرومتر

الذاكرة القابلة للعنونة 4 غيغابايت

الذاكرة الافتراضية 64 تيرابايت

ذاكرة مخبئية من المستوى الأول (Level 1 cache) مدمجة، 8 كيلوبايت

استخدم في الحواسب المكتبية ذات الآداء العالي والتكلفة المنخفضة

يستخدم تقنية "مضاعف السرعة" حيث يعمل المعالج داخليا بسرعة تعادل ضعف سرعة الممردراسة معالج انتل زيون

80486SL

تاريخ الإدخال في العمل 9 نومبر 1992

ترددات الساعة:

20 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 15.4 MIPS

25 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 19 MIPS

33 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 25 MIPS

عرض ممر المعطيات 32 بت، ممر العناوين 32 بت

عدد الترانزستورات 1.4 مليون على 0.8 ميكرومتر

الذاكرة القابلة للعنونة 64 ميغابايت

الذاكرة الافتراضية 64 تيرابايت

استخدم في الحواسب المحمولة انتل زيون
بنتيوم 

تاريخ الإدخال في العمل 22 مارس، 1993

80486DX4

تاريخ الإدخال في العمل 7 مارس، 1994

ترددات الساعة:

75 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 53 MIPS

100 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 70.7 MIPS

عدد الترانزستورات 1.6 مليون على 0.6 ميكرومتر

عرض ممر المعطيات 32 بت، ممر العناوين 32 بت

الذاكرة القابلة للعنونة 4 غيغابايت

الذاكرة الافتراضية 64 تيرابايت

عدد الأرجل 168 لغطاء بي جي أي (PGA) و 208 لغطاء اس كيو اف بي (SQFP)

مساحة الرقاقة 345 ملم²

استخدم في الحواسب المكتبية متوسطة الكلفة ذات الأداء العالي وفي الحواسب المحمولة عالية الكلفة

معالجات 32 بت : بنتيوم:

بنتيوم Pentium النموذج التقليدي

تاريخ الإدخال في العمل 22 مارس 1993

تقنية التصنيع 0.8 ميكرومتر (P5)

عرض ممر المعطيات 64 بت، ممر العناوين 32 بت

تردد نظام الممرات 50 أو 60 أو 66 ميجاهيرتز

عدد الترانزستورات 3.1 مليون

الذاكرة القابلة للعنونة 4 غيغابايت

الذاكرة الافتراضية 64 تيرابايت

غطاء من نوع بي جي اي ذو مقبس سوكيت 4 بـ 273 رجل

أبعاد الغطاء 2.16 إنش × 2.16 إنش

معالجة فائقة التدرج أتاحت مضاعفة الآداء 5 مرات عن معالج 486DX ذو التردد 33 ميجاهيرتز

يعمل بجهد 5 فولت

استخدم في الحواسب المكتبية

16 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الأول (L1 cache)

الأصناف

60 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 100 MIPS

66 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 112 MIPS

تقنية التصنيع 0.6 ميكرومتر (P54C)

غطاء من نوع بي جي اي ذو مقبس سوكيت 7 بـ 321/296 رجل

عدد الترانزستورات 3.2 ميليون

75 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 10 أكتوبر 1994

90 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 7 مارس 1994

100 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 7 مارس 1994

120 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 27 مارس 1995

تقنية التصنيع 0.35 ميكرومتر (P54C)

عدد الترانزستورات 3.3 ميليون

مساحة الرقاقة 90 ملم²

120 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل مارس 1995

133 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل يونيو 1995

150 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 4 يناير 1996

166 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 4 يناير 1996

200 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 10 يونيو 1996
80486DX4

تاريخ الإدخال في العمل 7 مارس 1994
80386EX (Intel386 EX) 

تاريخ الإدخال في العمل أغسطس 1994
Pentium Pro 

تاريخ الإدخال في العمل نوفمبر 1995

بنتيوم إم إم إكس Pentium MMX 

تاريخ الإدخال في العمل 8 يناير 1997

تقنية التصنيع 0.35 ميكرومتر (P55C)

تعليمات إنتل إم إم إكس (Intel MMX Instructions)

غطاء من نوع بي جي اي ذو مقبس سوكيت 7 بـ 321/296 رجل

32 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الأول (L1 cache)

عدد الترانزستورات 4.5 ميليون

تردد نظام الممرات 66 ميجاهيرتز

الأصناف

166 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 8 يناير 1997

200 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 8 يناير 1997

233 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 2 يونيو 1997

166 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 12 يناير 1998

200 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 8 سبتمبر 1997

233 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 8 سبتمبر 1997

266 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 12 يناير 1998

300 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 7 يناير 1999

معالجات 32 بت: بنتيوم برو، بنتيوم II، سيليرون، بنتيوم III، بنتيوم إم:

 بنتيوم برو Pentium Pro 

تاريخ الإدخال في العمل 1 نوفمبر 1995

تقنية التصنيع 0.6 ميكرومتر

غطاء من نوع إس بي جي أي الثنائي (Dual SPGA) ذو مقبس سوكيت 8 بـ 387 رجل

عدد الترانزستورات 22 مليون

16 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الأول (L1 cache)

256 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية المدمجة من المستوى الثاني (L2 cache)

تردد ممرات النظام 60 ميجاهيرتز

الأصناف

155 ميجاهيرتز

تقنية التصنيع 0.35 ميكرومتر أو 0.35 ميكرومتر CPU و 0.6 ميكرومتر L2 cache

عدد الترانزستورات 36.5 مليون أو 22 مليون

512 كيلو بايت أو 256 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية المدمجة من المستوى الثاني (L2 cache)

تردد ممرات النظام 60 أو 66 ميجاهيرتز

الأصناف

166 ميجاهيرتز (66 ميجاهيرتز تردد الممر، 512 كيلو بايت 0.35 ميكرومتر ذاكرة مخبئية) تاريخ الإدخال في العمل 1 نوفمبر 1995

180 ميجاهيرتز (60 ميجاهيرتز تردد الممر، 256 كيلو بايت 0.6 ميكرومتر ذاكرة مخبئية) تاريخ الإدخال في العمل 1 نوفمبر 1995

200 ميجاهيرتز (66 ميجاهيرتز تردد الممر، 256 كيلو بايت 0.6 ميكرومتر ذاكرة مخبئية) تاريخ الإدخال في العمل 1 نوفمبر 1995

200 ميجاهيرتز (66 ميجاهيرتز تردد الممر، 512 كيلو بايت 0.35 ميكرومتر ذاكرة مخبئية) تاريخ الإدخال في العمل 1 نوفمبر 1995

200 ميجاهيرتز (66 ميجاهيرتز تردد الممر، 1 ميغابايت 0.35 ميكرومتر ذاكرة مخبئية) تاريخ الإدخال في العمل 18 أغسطس 1997

بنتيوم II

تاريخ الإدخال في العمل 7 مايو 1997

بنية (Klamath) بتقنية تصنيع 0.35 ميكرومتر (233، 266، 300 ميجاهيرتز)

مطابق لبنتيوم برو مع إضافة تعليمات MMX وتطوير دعم تطبيقات 16 بت

غطاء من نوع إس إي سي (SEC، Single Edge Contact) ذو منفذ سلوت 1 بـ 242 رجل

عدد الترانزستورات 7.5 مليون

تردد ممرات النظام 66 ميجاهيرتز

32 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الأول (L1 cache)

256 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية الخارجية من المستوى الثاني (L2 cache)، تعمل بنصف سرعة المعالج.

الأصناف

233 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 7 مايو 1997

266 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 7 مايو 1997

300 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 7 مايو 1997

بنية (Deschutes) بتقنية تصنيع 0.25 ميكرومتر (333، 350، 400، 450 ميجاهيرتز)

تاريخ الإدخال في العمل 26 يناير 1998

تردد ممرات النظام 66 ميجاهيرتز (للصنف 333ميجاهيرتز فقط)، 100ميجاهيرتز لباقي الأصناف

الأصناف

333 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 26 يناير 1998

350 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 15 أبريل 1998

400 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 15 أبريل 1998

450 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 24 أغسطس 1998

233 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 2 أبريل 1998

266 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 2 أبريل 1998

300 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 9 سبتمبر 1998

333 ميجاهيرتز (محمول)

سيليرون Celeron يعتمد على بنتيوم II

تاريخ الإدخال في العمل 15 أبريل 1998

بنية (Covington) بتقنية تصنيع 0.25 ميكرومتر

غطاء من نوع إس إي بي بي (SEPP، Single Edge Processor Package) ذو منفذ سلوت 1 بـ 242 رجل

عدد الترانزستورات 7.5 مليون

تردد ممرات النظام 66 ميجاهيرتز

32 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الأول (L1 cache)

لا توجد ذاكرة مخبئية من المستوى الثاني

الأصناف

266 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 15 أبريل 1998

300 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 9 يونيو 1998

بنية (Mendocino) بتقنية تصنيع 0.25 ميكرومتر

تاريخ الإدخال في العمل 24 أغسطس 1998

غطاء من نوع إس إي بي بي (SEPP، Single Edge Processor Package) ذو منفذ سلوت 1 بـ 242 رجل، غطاء من نوع بي بي جي اي (PPGA) ذو مقبس سوكيت 370

عدد الترانزستورات 19 مليون

تردد ممرات النظام 66 ميجاهيرتز

32 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الأول (L1 cache)

128 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية المدمجة من المستوى الثاني (L2 cache)

الأصناف

300A ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 24 أغسطس 1998

333 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 24 أغسطس 1998

366 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 4 يناير 1999

400 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 4 يناير 1999

433 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 22 مارس 1999

466 ميجاهيرتز

500 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 2 أغسطس 1999

533 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 4 يناير 2000

266 ميجاهيرتز (محمول)

300 ميجاهيرتز (محمول)

333 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 5 أبريل 1999

366 ميجاهيرتز (محمول)

400 ميجاهيرتز (محمول)

433 ميجاهيرتز (محمول)

450 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 14 فبراير 2000

466 ميجاهيرتز (محمول)

500 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 14 فبراير 2000
بنتيوم II زيون Xion (

تاريخ الإدخال في العمل 29 يونيو 1998

بنتيوم III

تاريخ الإدخال في العمل 26 فبراير 1999

بنية (Katmai) بتقنية تصنيع 0.25 ميكرومتر

بنتيوم II مطور، إضيفة له تعليمات إس إس إي (SSE)، توسعة تدفق تعليمة وحيدة - بيانات متعددة

عدد الترانزستورات 9.5 مليون

32 كيلو بايت (16 بيانات + 16 تعليمات) من الذاكرة المخبئية من المستوى الأول (L1 cache)

512 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية الخارجية من المستوى الثاني (L2 cache)، تعمل بنصف سرعة المعالج.

غطاء من نوع إس إي سي سي2 (SECC2، Single Edge Contact cartridge 2) ذو منفذ سلوت 1 بـ 242 رجل

تردد ممرات النظام 100 ميجاهيرتز

الأصناف

450 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 26 فبراير 1999

500 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 26 فبراير 1999

550 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 17 مايو 1999

600 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 2 أغسطس 1999

533 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل (تردد الممر 133 ميجاهيرتز) 27 سبتمبر 1999

600 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل (تردد الممر 133 ميجاهيرتز) 27 سبتمبر 1999

بنية كوبرماين (Coppermine) بتقنية تصنيع 0.18 ميكرومتر

تاريخ الإدخال في العمل 25 أكتوبر 1999

عدد الترانزستورات 28.1 مليون

32 كيلو بايت (16 بيانات + 16 تعليمات) من الذاكرة المخبئية من المستوى الأول (L1 cache)

256 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية المدمجة من المستوى الثاني (L2 cache)، تعمل بسرعة المعالج.

غطاء من نوع إس إي سي سي2 (SECC2، Single Edge Contact cartridge 2) ذو منفذ سلوت 1 بـ 242 إبرة ومن نوع اف سي-بي جي اي (FC-PGA، Flip-chip pin grid array) ذو 370 إبرة

تردد ممرات النظام 100 ميجاهيرتز، 133 ميجاهيرتز

الأصناف

500 ميجاهيرتز (تردد الممر 100 ميجاهيرتز)

533 ميجاهيرتز

550 ميجاهيرتز (تردد الممر 100 ميجاهيرتز)

600 ميجاهيرتز

600 ميجاهيرتز (تردد الممر 100 ميجاهيرتز)

650 ميجاهيرتز (تردد الممر 100 ميجاهيرتز) تاريخ الإدخال في العمل 25 أكتوبر 1999

667 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 25 أكتوبر 1999

700 ميجاهيرتز (تردد الممر 100 ميجاهيرتز) تاريخ الإدخال في العمل 25 أكتوبر 1999

733 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 25 أكتوبر 1999

750 ميجاهيرتز (تردد الممر 100 ميجاهيرتز) تاريخ الإدخال في العمل 20 ديسمبر 1999

800 ميجاهيرتز (تردد الممر 100 ميجاهيرتز) تاريخ الإدخال في العمل 20 ديسمبر 1999

800 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 20 ديسمبر 1999

850 ميجاهيرتز (تردد الممر 100 ميجاهيرتز) تاريخ الإدخال في العمل 20 مارس 2000

866 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 20 مارس 2000

933 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 24 مايو 2000

1000 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 8 مارس 2000 (لم يكن متوفرا بشكل واسع عند الإصدار)

400 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 25 أكتوبر 1999

450 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 25 أكتوبر 1999

500 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 25 أكتوبر 1999

600 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 18 يناير 2000

650 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 18 يناير 2000

700 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 24 أبريل 2000

750 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 19 يونيو 2000

800 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 25 سبتمبر 2000

850 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 25 سبتمبر 2000

900 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 19 مارس 2001

1000 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 19 مارس 2001

بنية (Tualatin) بتقنية تصنيع 0.13 ميكرومتر

تاريخ الإدخال في العمل يوليو 2001

عدد الترانزستورات 28.1 مليون

32 كيلو بايت (16 بيانات + 16 تعليمات) من الذاكرة المخبئية من المستوى الأول (L1 cache)

256 كيلو بايت أو 512 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية المدمجة من المستوى الثاني (L2 cache)، تعمل بسرعة المعالج.

غطاء من نوع اف سي-بي جي اي (FC-PGA، Flip-chip pin grid array) ذو 370 إبرة

تردد ممرات النظام 133 ميجاهيرتز

الأصناف

1133 ميجاهيرتز (512 كيلوبايت L2)

1200 ميجاهيرتز

1266 ميجاهيرتز (512 كيلوبايت L2)

1333 ميجاهيرتز

1400 ميجاهيرتز (512 كيلوبايت L2)

بنتيوم II و III زيون(Xeon)

بنتيوم II زيون (PII Xeon)

الأصناف

400 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 29 يونيو 1998

450 ميجاهيرتز (512 كيلوبايت L2 Cache) تاريخ الإدخال في العمل 6 أكتوبر 1998

450 ميجاهيرتز (1-2 ميغابايت L2 Cache) تاريخ الإدخال في العمل 5 يناير 1999

بنتيوم III كزيون (PIII Xeon)

تاريخ الإدخال في العمل 25 أكتوبر 1999

عدد الترانزستورات: 9.5 مليون على 0.25 ميكرومتر أو 28 مليون على 0.18 ميكرومتر

256 كيلوبايت أو 1-2 ميغابايت من الذاكرة المخبئية المدمجة من المستوى الثاني (L2 cache)، تعمل بسرعة المعالج.

غطاء من نوع إس إي سي سي2 (SECC2، Single Edge Contact cartridge 2) أو إس سي 330 (SC330)

تردد ممرات النظام 133 ميجاهيرتز (256 كيلو بايت L2) أو 100 ميجاهيرتز (1 - 2 ميغابايت L2)

عرض ممرات النظام 64 بت

الذاكرة القابلة للعنونة 64 غيغابايت

يستخدم في المخدمات ثنائية الإتجاه (two-way servers) وفي محطات العمل (256 كيلوبايت L2) أو المخدمات رباعية وثمانية الإتجاه (1 - 2 ميغابايت L2)

الأصناف

500 ميجاهيرتز (تقنية تصنيع 0.25 ميكرومتر) تاريخ الإدخال في العمل 17 مارس 1999

550 ميجاهيرتز (تقنية تصنيع 0.25 ميكرومتر) تاريخ الإدخال في العمل 23 أغسطس 1999

600 ميجاهيرتز (تقنية تصنيع 0.18 ميكرومتر، 256 كيلوبايت L2) تاريخ الإدخال في العمل 25 أكنوبر 1999

667 ميجاهيرتز (تقنية تصنيع 0.18 ميكرومتر، 256 كيلوبايت L2) تاريخ الإدخال في العمل 25 أكنوبر 1999

733 ميجاهيرتز (تقنية تصنيع 0.18 ميكرومتر، 256 كيلوبايت L2) تاريخ الإدخال في العمل 25 أكنوبر 1999

800 ميجاهيرتز (تقنية تصنيع 0.18 ميكرومتر، 256 كيلوبايت L2) تاريخ الإدخال في العمل 12 يناير 2000

866 ميجاهيرتز (تقنية تصنيع 0.18 ميكرومتر، 256 كيلوبايت L2) تاريخ الإدخال في العمل 10 أبريل 2000

933 ميجاهيرتز (تقنية تصنيع 0.18 ميكرومتر، 256 كيلوبايت L2)

1000 ميجاهيرتز (تقنية تصنيع 0.18 ميكرومتر، 256 كيلوبايت L2) تاريخ الإدخال في العمل 22 أغسطس 2000

700 ميجاهيرتز (تقنية تصنيع 0.18 ميكرومتر، 1-2 ميغابايت L2) تاريخ الإدخال في العمل 22 مايو 2000

سيليرون بنتيوم III يعتمد على بنية كوبرماين

تاريخ الإدخال في العمل مارس 2000

بنية كوبرماين- 128 (128 Coppermine) بتقنية تصنيع 0.18 ميكرومت

تعليمات إس إس إي (SSE)، توسعة تدفق تعليمة وحيدة - بيانات متعددة

غطاء من نوع بي بي جي اي (PPGA) ذو مقبس سوكيت 370

عدد الترانزستورات 28.1 مليون

تردد ممرات النظام 66 ميجاهيرتز، 100 ميجاهيرتز في 3 يناير 2001

32 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الأول (L1 cache)

128 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الثاني (L2 cache)، تعمل بسرعة المعالج.

الأصناف

533 ميجاهيرتز

566 ميجاهيرتز

633 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 26 يونيو 2000

667 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 26 يونيو 2000

700 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 26 يونيو 2000

733 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 13 نوفمبر 2000

766 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 13 نوفمبر 2000

800 ميجاهيرتز

850 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 9 أبريل 2001

900 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 2 يوليو 2001

950 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 31 أغسطس 2001

1000 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 31 أغسطس 2001

1100 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 31 أغسطس 2001

1200 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 2 أكتوبر 2001

1300 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 3 يناير 2002

550 ميجاهيرتز (محمول)

600 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 19 يونيو 2000

650 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 19 يونيو 2000

700 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 25 سبتمبر، 2000

750 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 19 مارس 2001

800 ميجاهيرتز (محمول)

850 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 2 يوليو 2001

600 ميجاهيرتز (جهد منخفض محمول)

500 ميجاهيرتز (جهد شديد الانخفاض محمول) تاريخ الإدخال في العمل 30 يناير 2001

600 ميجاهيرتز (جهد شديد الانخفاض محمول)

اكسكيل XScale 

تاريخ الإدخال في العمل 23 أغسطس 2000

بنتيوم 4، اتانيوم، كزيون مبني على بنتيوم 4، اتانيوم 

تاريخ الإدخال في العمل أبريل 2000 – يوليو 2002

 سيليرون بنتيوم III يعتمد على بنية توالاتين

32 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الأول (L1 cache)

256 كيلو بايت ن الذاكرة المخبئية من المستوى الثاني (L2 cache)، تعمل بسرعة المعالج.

تردد ممرات النظام 100 ميجاهيرتز

الأصناف

1.0 غيغاهيرتز

1.1 غيغاهيرتز

1.2 غيغاهيرتز

1.3 غيغاهيرتز

1.4 غيغاهيرتز

بنتيوم إم

تاريخ الإدخال في العمل مارس 2003

بنية (Banias) بتقنية التصنيع 0.13 ميكرومتر

64 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الأول (L1 cache)

1 ميجا بايت من الذاكرة المخبئية المدمجة من المستوى الثاني (L2 cache)

مبني على نواة بنتيوم III مع تعليمات إس إس إي (SSE)(توسعة تدفق تعليمة وحيدة - بيانات متعددة) ومعالجة تدفقية مطورة

عدد الترانزستورات 77 مليون

غطاء المعالج من نوع Micro-FCPGA و Micro-FCBGA

أساس أنظمة إنتل موبيال سنترينو (Intel mobile Centrino)

ممرات نظام ذوة تصميم Netburst بتردد 400 ميجاهيرتز.

الأصناف

900 ميجاهيرتز (جهد شديد الانخفاض)

1.0 جيجاهيرتز (جهد شديد الانخفاض)

1.1 جيجاهيرتز (جهد منخفض)

1.2 جيجاهيرتز (جهد منخفض)

1.3 جيجاهيرتز

1.4 جيجاهيرتز

1.5 جيجاهيرتز

1.6 جيجاهيرتز

1.7 جيجاهيرتز

بنية (Dothan) بتقنية التصنيع 0.09 ميكرومتر

تاريخ الإدخال في العمل مايو 2004

2 ميجا بايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الثاني (L2 cache)

Revised data prefetch unit

الأصناف

1.0 جيجاهيرتز (جهد شديد الانخفاض)

1.1 جيجاهيرتز (جهد شديد الانخفاض)

1.2 جيجاهيرتز (جهد شديد الانخفاض)

1.3 جيجاهيرتز (جهد شديد الانخفاض)

1.3 جيجاهيرتز (جهد منخفض)

1.4 جيجاهيرتز (جهد منخفض)

1.5 جيجاهيرتز

1.6 جيجاهيرتز

1.7 جيجاهيرتز

1.8 جيجاهيرتز

1.9 جيجاهيرتز

2.0 جيجاهيرتز

2.13 جيجاهيرتز

2.26 جيجاهيرتز

نواة إنتل Intel Core

تاريخ الإدخال في العمل January 2006

Yonah 0.065 ميكرومتر (65 nm) تقنية التصنيع

667 ميجاهيرتز ناقل أمامي 2 ميجا بايت (Shared on Duo) L2 cache

الأصناف:

Intel Core Duo T2600 2.16 جيجاهيرتز (أبل ماك بوك برو - Feb 06)

Intel Core Duo T2500 2.00 جيجاهيرتز (أبل آي ماك، ماك بوك برو - Jan 06)

Intel Core Duo T2400 1.83 جيجاهيرتز (أبل ماك بوك برو - Feb 06)

Intel Core Duo T2300 1.66 جيجاهيرتز (أبل ماك ميني -Mar 06)

Intel Core Solo T1300 1.66 جيجاهيرتز

سيليرون إم

Banias-512 0.13 ميكرومتر تقنية التصنيع

تاريخ الإدخال في العمل March 2003

64 كيلو بايت L1 cache

512 كيلو بايت L2 cache (integrated)

No SpeedStep technology، is not part of the 'سنترينو' package

الأصناف

310 - 1.20 جيجاهيرتز

320 - 1.30 جيجاهيرتز

330 - 1.40 جيجاهيرتز

340 - 1.50 جيجاهيرتز

Dothan-1024 90 nm تقنية التصنيع

64 كيلو بايت L1 cache

1 ميجا بايت L2 cache (integrated)

No SpeedStep technology، is not part of the 'سنترينو' package

الأصناف

350 - 1.30 جيجاهيرتز

350J - 1.30 جيجاهيرتز، with Execute Disable bit

360 - 1.40 جيجاهيرتز

360J - 1.40 جيجاهيرتز، with Execute Disable bit

370 - 1.50 جيجاهيرتز، with Execute Disable bit

380 - 1.60 جيجاهيرتز، with Execute Disable bit

390 - 1.70 جيجاهيرتز، with Execute Disable bit

نواة مزدوجة زيون Xeon LV

تاريخ الإدخال في العمل March 2006

Sossaman 0.065 ميكرومتر (65 nm) تقنية التصنيع

667 ميجاهيرتز frontside bus 2 ميجا بايت Shared L2 cache

الأصناف

2.0 جيجاهيرتز

معالجات 32 بت: عائلة بنتيوم 4:

بنتيوم 4

تقنية تصنيع 0.18 ميكرومتر (1.40 و 1.50 جيجاهيرتز)

تاريخ الإدخال في العمل 20 نوفمبر 2000

256 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية المدمجة من المستوى الثاني (L2 cache)

غطاء من نوع بي جي اي 423، بي جي اي 478

تردد ممرات النظام 400 ميجاهيرتز

تعليمات إس إس إي 2 (SSE2)، توسعة تدفق تعليمة وحيدة - بيانات متعددة

عدد الترنزستورات 42 مليون

يستخدم في الحواسب المكتبية ومحطات العمل

تقنية تصنيع 0.18 ميكرومتر(1.7 جيجاهيرتز)

تاريخ الإدخال في العمل 23 أبريل 2001

نفس خصائص الرقائق 1.4 و 1.5 جيجاهيرتز

تقنية التصنيع 0.18 ميكرومتر (1.6، 1.8 جيجاهيرتز)

تاريخ الإدخال في العمل 2 يوليو 2001

نفس خصائص الرقائق 1.4 و 1.5 جيجاهيرتز

تعمل النواة بجهد 1.15 فولت في نمط الآداء الأعظمي وبجهد 1.05 في نمط المدخرة (البطارية) المحسن

الاستطاعة <1 واط في نمط المدخرة المحسن

يستخدم في الحواسب المحمولة

تقنية تصنيع 0.18 ميكرومتر ببنيةWillamette (1.9، 2.0 جيجاهيرتز)

تاريخ الإدخال في العمل 27 أغسطس 2001

نفس خصائص الرقائق 1.4 و 1.5 جيجاهيرتز

بنتيوم 4 (2 جيجاهيرتز، 2.20 جيجاهيرتز)

تاريخ الإدخال في العمل 7يناير 2002

بنتيوم 4 (2.4 جيجاهيرتز)

تاريخ الإدخال في العمل 2 أبريل 2002

0.13 ميكرومتر; تقنية تصنيع Northwood A (1.7، 1.8، 1.9، 2، 2.2، 2.4، 2.5، 2.6 جيجاهيرتز)

تقنية توقع التفرع محسنة

512 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الثاني (L2 cache)

عدد الترنزستورات 55 مليون

تردد ممرات النظام 400 ميجاهيرتز.

0.13 ميكرومتر; تقنية تصنيع Northwood B (2.26، 2.4، 2.53، 2.66، 2.8، 3.06 جيجاهيرتز)

تردد ممرات النظام 533 ميجاهيرتز. (3.06 يتضمن تقنية التشعب الفائق).

0.13 ميكرومتر; تقنية تصنيع Northwood C (2.4، 2.6، 2.8، 3.0، 3.2، 3.4 جيجاهيرتز)

تردد ممرات النظام 800 ميجاهيرتز (جميع النماذج تستخدم تقنية التشعب الفائق)

الطاقة المقدرة من 6500 إلى 10000 MIPS

Itanium 

تاريخ الإدخال في العمل 2001

زيون Xeon

1.4، 1.5، 1.7 جيجاهيرتز

تاريخ الإدخال في العمل 21 مايو 2001

256 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية المدمجة من المستوى الثاني (L2 cache)، تعمل بسرعة المعالج.

غطاء من نوع أو ايل جي أي 603 (OLGA 603)

تردد ممرات النظام 400 ميجاهيرتز

تعليمات إس إس إي 2 (SSE2)، توسعة تدفق تعليمة وحيدة - بيانات متعددة

يستخدم في محطات العمل فائقة الآداء ذات المعالجات الثنائية

2.0 جيجاهيرتز وحتى 3.6 جيجاهيرتز

تاريخ الإدخال في العمل 25 سبتمبر 2001
Itanium 2 

تاريخ الإدخال في العمل July 2002

بنتيوم 4 موبايل-M Mobile Pentium 4-M

تقنية التصنيع 0.13 ميكرومتر

55 مليون ترانزيستور

512 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الثاني (L2 cache)

تردد ممرات النظام 400 ميجاهيرتز

يدعم 1 غيغابايت من الذاكرة الرئيسية ذات معدل نقل البيانات المضاعف وتردد 266 ميجاهيرتز DDR 266

يدعم نظم إدارة الطاقة ACPI 2.0 و APM 1.2

1.3 V - 1.2 V (سبيدستيب SpeedStep)

الاستطاعة: 1.2 جيجاهيرتز 20.8 واط، 1.6 جيجاهيرتز 30 واط، 2.6 جيجاهيرتز 35 واط

الاستطاعة في وضع السبات 5 واط (1.2 فولت)، 2.9 واط (1.0 فولت)

2.60 جيجاهيرتز - 11 يونيو 2003

2.50 جيجاهيرتز - 16 أبريل 2003

2.40 جيجاهيرتز - 14 يناير 2003

2.20 جيجاهيرتز - 16 سبتمبر 2002

2.00 جيجاهيرتز - 24 يونيو 2002

1.90 جيجاهيرتز - 24 يونيو 2002

1.80 جيجاهيرتز - 23 أبريل 2002

1.70 جيجاهيرتز - 23 أبريل 2002

1.60 جيجاهيرتز - 23 أبريل 2002

1.50 جيجاهيرتز - 4 مارس 2002

1.40 جيجاهيرتز - 4 مارس 2002

بواسطة م/الضو موسى-ود الكسمبر

بنتيوم 4 اكستريم اديشن Pentium 4 EE

تاريخ الإدخال في العمل September 2003

يعتمد في تصميمه على نواة غالاتين (Gallatin) لمعالج كزيون ولكن بذاكرة مخبئية 2 ميغابايت

بنتيوم 4E 

تاريخ الإدخال في العمل فبراير 2004

بنية بريسكوت Prescott (2.4A، 2.8، 2.8A، 3.0، 3.2، 3.4، 3.6، 3.8) بتقنية تصنيع 0.09 ميكرومتر

1 ميغا بايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الثاني (L2 cache)

تردد ممرات النظام 533 ميجاهيرتز (2.4A 2.8A)

تردد ممرات النظام 800 ميجاهيرتز ()

تقنية التشعب الفائق مدعومة في المعالجات ذات تردد ممر المعطيات 800 ميجاهيرتز.

زيادة عدد مراحل المعالج التدفقية من 20 إلى 31 مرحلة مما يسمح نظريا بزيادة تردد الساعة

الطاقة المقدرة من 7500 إلى 11000 MIPS

المعالجات من طراز 5xx تحتوي على مقبس LGA-775 ومن طراز 5x1 تدعم توسيعة EM64T

المعالجات ن طراز 6xx تدعم توسيعة EM64T وتحتوي على 2 ميغابايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الثاني (L2 cache)

بنتيوم 4F

تاريخ الإدخال في العمل Spring 2004

نواة مماثلة لنواة بنتيوم4E

3.2 - 3.6 جيجاهيرتز

معالجات 64 – بت : ايتانيوم 

New instruction set، not at all related to x86

Current IA-64 processors support 32-bit x86 in hardware، but slowly

إيتانيوم Itanium

Released 29 مايو، 2001

733 ميجاهيرتز and 800 ميجاهيرتز

إيتانيوم 2

Released July 2002

900 ميجاهيرتز and 1 جيجاهيرتز

Pentium M 

Introduced March 2003
Pentium 4EE، 4E 

Introduced September 2003، February 2004، respectively

The 64-bit processors إكس86-64

Intel® Extended Memory 64 Technology

Introduced Spring 2004، with the Pentium 4F (D0 and later P4 steppings)

64-بت architecture extension for the إكس 86 range; near clone of إكس86-64

بنتيوم 4F، وما بعده

Starting with the D0 stepping of this processor، EM64T 64-bit extensions are supported

بنتيوم D

Introduced Q2 2005

Smithfield معالج متعدد اللب version

2.8–3.4 جيجاهيرتز

1 ميجا بايت + 1 ميجا بايت L2 cache (non-shared، 2 ميجا بايت total)

800 ميجاهيرتز system-bus

Not hyperthreading، performance increase of 60% over similarly clocked Prescott

Cache-coherency between cores requires communication over the 800 ميجاهيرتز FSB

updated Pentium D 65 nanometer "Presler"-double core to increase yields 2.8-3.4 جيجاهيرتز 2 ميجا بايت + 2 ميجا بايت L2 cache (non-shared) 800 ميجاهيرتزsystem bus no hyperthreading                                

بنتيوم إكستريم إديشن Pentium Extreme Edition رقم 955

Presler Core

3.46 جيجاهيرتز Clock Speed

Enabled Hyper Threading

2 x 2 ميجا بايت of memory cache

سنترينو 2

طقم الشرائح Intel® 45 Express ورقاقة وصلة واي فاي اللاسلكية Intel® WiFi Link 5000 اللتين بدأ تسويقهما للعملاء في الوقت الحالي،

وتوفر وصلة إنتل Intel Wi-Fi Link 5000 خمسة أضعاف السرعة وضعفي مدى التغطية مقارنة بتكنولوجيا 802.11a/g السابقة، وتدعم هذه الوصلة مسودة معيار الاتصال اللاسلكي 802.11n الذي يقدم أكبر سرعة ممكنة في نقل البيانات اليوم - وتصل إلى 450 ميجابت في الثانية.

تتوافق خاصية التبديل بين البطاقات الرسومية، وهي ميزة اختيارية جديدة لتوفير الطاقة في الحاسبات المحمولة المزودة بتكنولوجيا إنتل سنترينو 2،

مع البطاقات الرسومية (التي تعرف بكروت الشاشة) المدمجة والمنفصلة في نفس الوقت على نفس الحاسب المحمول، مما يمكِّن المستخدمين من التبديل والانتقال بسهولة بين البطاقتين. وتقدم خاصية التبديل بين البطاقات الرسومية أداءً أفضل في تطبيقات الأبعاد الثلاثية عند الحاجة،

مع إمكانية تحقيق وفرة كبيرة في الطاقة، للحصول على أفضل ما في الحالتين.

تقدم تكنولوجيا المعالجات إنتل سنترينو 2 للمستهلكين قوة المعالجة وعمر البطارية اللازمين للاستمتاع بفيلم فيديو كامل على قرص Blu-ray عالي

التحديد باستخدام عملية شحن واحدة للبطارية للمرة الأولى، إضافة إلى القدرة على تشغيل مجموعة متنوعة من ألعاب الإنترنت وتنزيل الموسيقى

أو تنزيل ملفات الموسيقى أو إرسال مقاطع الفيديو بسرعة أكبر من ذي قبل.

أما للشركات، تقدم تكنولوجيا معالجات إنتل سنترينو 2 مع تكنولوجيا vPro تحسينات جوهرية في خيارات الإدارة والحماية.

وتزداد أهمية ذلك مع استغناء الشركات عن حاسباتها المكتبية واعتماد الحاسبات المحمولة بدلاً منها وتزايد الحاجة لتهيئة وإعداد الأجهزة المحمولة

وتحديثها وتشخيص أعطالها عن بعد عبر الشبكة اللاسلكية.

كما تمت إضافة القدرة الفعالة المحسنة للإدارة بفضل تكنولوجيا AMT 4.0 لإتاحة الإدارة لاسلكياً خلال حالة نوم النظام،

مع إمكانات الإعداد والتهيئة عن بعد ودعم الجيل الجديد من معايير الإدارة (WS-MAN وDASH 1.0) وقدرة الموظف على الاتصال بقسم تكنولوجيا المعلومات بعيدا عن حاجز الحماية بالشركة.