Posted in مقالات برمجية وتقنية on سبتمبر 20, 2025
ماهي افضل انواع معالجات انتل intel والمواصفات: دليل شامل
انواع المعالجات : وماهو افضل معالج انتل
معالجات 4 بت:
أول معالج ميكروي (µP) أحادي الرقاقة
تاريخ الإدخال في العمل 15 نوفمبر1971
تردد الساعة 740 كيلوهرتز
الطاقة المقدرة 0.06 MIPS
عرض الممر 4 بت (إرسال تعاقبي متعدد للعناوين والبيانات نظرا لمحدودية الأرجل pins )
تعمل وتتكون من نظام PMOS
عدد الترانزستورات 2،300 على 10 ميكرومتر
الذاكرة القابلة للعنونة 640 بايت
ذاكرة البرنامج 4 كيلوبايت
أول معالج مكروي تجاري (F14 CADC)
استعمل في آلة شركة بوسيكوم (Busicom) الحاسبة.
كانت الغاية الوصول إلى تردد ساعة يعادل التردد المستخدم في حاسوب IBM 1620 لكن ذلك لم يتحقق.
4040
تاريخ الإدخال في العمل الربع الأخير من سنة 1974
تردد الساعة من 500 إلى 740 كيلوهرتز (باستعمال كريستالات بتردد من 4 إلى 5.185 ميجاهيرتز(
الطاقة المقدرة 0.06 MIPS
عرض الممر 4 بت (إرسال تعاقبي متعدد للعناوين والبيانات نظرا لمحدودية الأرجل pins)
تعمل وتتكون من نظام PMOS
عدد الترانزستورات 3000 على 10 ميكرومتر
الذاكرة القابلة للعنونة 640 بايت
ذاكرة البرنامج 8 كيلوبايت
أشعة المقاطعة (Interrupts)
نسخة متطورة من 4004
معالجات 8 بت:
8008
تاريخ الإدخال في العمل 1 أبريل1972
تردد الساعة 500 كيلوهرتز (8008-1: 800 كيلوهرتز)
الطاقة المقدرة 0.05 MIPS
عرض الممر 8 بت (إرسال تعاقبي متعدد للعناوين والبيانات نظرا لمحدودية الأرجل pins)
نصف ناقل أكسيد المعدن ذو القناة P
عدد الترانزستورات 3500 على 10 ميكرومتر
الذاكرة القابلة للعنونة 16 كيلوبايت
شائع في الطرفيات الخاملة، الآلات الحاسبة، آلات التعليب Typical in dumb terminals، general calculators، bottling machines
طور بالتوازي مع 4004
الغرض الأصلي من تطويره كان استعماله ضمن الطرفية داتابوينت 2200 (Datapoint 2200)
تاريخ الإدخال في العمل 1 أبريل1974
تردد الساعة 2 ميجاهرتز
الطاقة المقدرة 0.64 MIPS
عرض ممر المعطيات 8 بت، ممر العناوبن 16 بت
نصف ناقل أكسيد معدني ذو القناة N
عدد الترانزستورات 6000 على 6 ميكرومتر
الذاكرة القابلة للعنونة 64 كيلوبايت
تضاعف الآداء 10 مرات عن 8008
استخدم في التاير 8800 (Altair 8800)، متحكمات إشارات المرور، صواريخ كرويز Used in the ألتير 8800، Traffic light controller، cruise missile
يحتاج إلى 6 رقائق محيطة بالمقارنة مع 20 رقاقة مستخدمة في المعالج 8008
تاريخ الإدخال في العمل مارس1976
تردد الساعة 5 ميجاهرتز
الطاقة المقدرة 0.37 MIPS
عرض ممر المعطيات 8 بت، ممر العناوبن 16 بت
عدد الترانزستورات 6500 على 3 ميكرومتر
لغة التجميع متوافقة ارتجاعيا مع 8080.
استخدم في مقياس توليدو كما استخدم في متحكمات الدخل والخرج (مودم، أقراص صلبة...الخ).
استخدمت النسخة المبنية على تكنولوجيا CMOS في الحاسب المحمول تي آر إس-80 موديل 100
مستوى عالي التكامل (High level of integration)، أول معالج يعمل بجهد 5 فولت بدلا من 20 فولت. كما يحتوي على وصلتي إدخال وإخراج تسلسليتين
معالجات 16 بت: بداية التصميم إكس 86:
تاريخ الإدخال في العمل 8 يونيو1978
ترددات الساعة:
5 ميجاهرتز بطاقة مقدرة 0.33 MIPS
8 ميجاهرتز بطاقة مقدرة 0.66 MIPS
10 ميجاهرتز بطاقة مقدرة 0.75 MIPS
عرض ممر المعطيات 16 بت، ممر العناوبن 20 بت
عدد الترانزستورات 29000 على 3 ميكرومتر
الذاكرة القابلة للعنونة 1 ميجابايت
تضاعف الآداء 10 مرات عن 8080
استخدم في الحواسب المحمولة
يستخدم مسجلات القطاع (segment registers) لتقسيم الذاكرة إلى 16 مقطع (segments) كل منها بحجم 64 كيلوبايت مما يسهل الوصول المباشر إلى كل مقطع.
تاريخ الإدخال في العمل 1 يونيو1979
ترددات الساعة:
5 ميجاهرتز بطاقة مقدرة 0.33 MIPS
8 ميجاهرتز بطاقة مقدرة 0.75 MIPS
عرض ممر المعطيات 8 بت، ممر العناوبن 20 بت
عدد الترانزستورات 29000 على 3 ميكرومتر
الذاكرة القابلة للعنونة 1 ميجاباي
مطابق لـ 8086 الفرق الوحيد في عرض ممر المعطيات
استخدم في حاسب آي بي إم الحاسب الشخصي والحواسب المتطابقة معه.
iAPX 432
تاريخ الإدخال في العمل 1 يناير1981
وحدة معالجة مركزية متعددة الرقائق; أول معالج ميكروي لإنتل بحجم كلمة يبلغ 32 بت
تاريخ الإدخال في العمل 1982
استخدم غالبا في التطبيقات المدمجة كالمتحكمات (controllers)، نظم نقاط البيع (point-of-sale systems) والمنافذ (terminals)
تميز عن المعالجات السابقة بدمج عدد من الدارات التخصصية إلى رقاقة المعالج كمولدي التزامن (Timer)، متحكم الوصول المباشر للذاكرة (DMA controller)و متحكم المقاطعة (interrupt controller).
أعيدت تسميته لاحقا إلى iAPX 186
نسخة من 80186 مع ممر معطيات بعرض 8 بت بدلا من 16 بت.
أعيدت تسميته لاحقا إلى iAPX 188
تاريـخ الإدخال في العمل 1 فبراير1982
ترددات الساعة:
6 ميجاهرتز بطاقة مقدرة 0.9 MIPS
8 ميجاهرتز، 10 ميجاهرتز بطاقة مقدرة 1.5 MIPS
12.5 ميجاهرتز بطاقة مقدرة 2.66 MIPS
عرض ممر المعطيات 16 بت، ممر العناوبن 24 بت
عدد الترانزستورات 134000 على 1.5 ميكرومتر
الذاكرة القابلة للعنونة 16 ميجابايت
بإمكانه استخدام الذاكرة الافتراضية (Virtual Memory) عند الضرورة
يدعم نمطي تشغيل مختلفين:
حقيقي (Real Mode): يحاكي عمل المعالج 8086
محمي (Protected Mode): يتيح التعامل مع 16 ميجابايت من الذاكرة الحقيقية. كما يقوم بحماية مجالات الذاكرة من التداخل عند إجراء مهام متعددة بنفس الوقت.
تضاعف الآداء من 3 إلى 6 مرات عن 8086
استخدم على نطاق واسع في الحاسوب الشخصي (PC) والحواسب المتطابقة معه.
Can scan the موسوعة بريتانيكا in 45 seconds
معالجات 32BIT: المعالجات غير x86 µPs:
Introduced 1 يناير، 1981 as Intel's first 32-bit microprocessor
Object/capability architecture
Microcoded operating system primitives
One terabyte virtual address space
Hardware support for fault tolerance
Two-chip General Data Processor (GDP)، consists of 43201 and 43202
43203 Interface Processor (IP) interfaces to I/O subsystem
43204 Bus Interface Unit (BIU) simplifies building multiprocessor systems
43205 Memory Control Unit (MCU)
Architecture and execution unit internal data paths 32 bit
Clock speeds:
RISC-like 32-bit architecture
predominantly used in embedded systems
Evolved from the capability processor developed for the BiiN joint venture with سيمنز
Many variants identified by two-letter suffixes.
80386SX
80376
Intel's first وحدة سلمية فائقة processor
مجموعة تعليمات بنية الحاسب 32/64-bit architecture، with pipeline characteristics very visible to programmer
Used in Intel Paragon massively parallel supercomputer
32-bit مجموعة تعليمات بنية الحاسب microprocessor based on the إيه.آر.إم (معالج)
Many variants، such as the PXA2xx applications processors، IOP3xx I/O processors and IXP2xxx and IXP4xx network processors.
معالجات 32 بت: عائلة 80386:
تاريخ الإدخال في العمل 17 أكتوبر1985
ترددات الساعة:
16 ميجاهرتز بطاقة مقدرة من 5 إلى 6 MIPS
16 فبراير1987 20 ميجاهرتز بطاقة مقدرة من 6 إلى 7 MIPS
4 أبريل1988 25 ميجاهرتز بطاقة مقدرة 8.5 MIPS
10 أبريل1989 33 ميجاهرتز بطاقة مقدرة 11.4 MIPS
عرض ممر المعطيات 32 بت، ممر العناوبن 32 بت
نصف ناقل أكسيد معدني متمم (CMOS)
عدد الترانزستورات 275000 على 1 ميكرومتر
الذاكرة القابلة للعنونة 4 غيغابايت
الذاكرة الافتراضية 64 تيرابايت
أول رقاقة بتصميم x86 قادرة على التعامل مع حجم كلمة 32 بت
تحسين نمط التشغيل المحمي وإضافة نمط جديد هو النمط الافتراضي (virtual mode) الذي يستطيع أن يحاكي عددا من معالجات 8086 في نفس الوقت.
إضافة خصائص يتطلبها نظامي تشغيل ويندوز 95وأو إس/2
استعمل في الحاسبات المكتبية
80960 (i960
تاريخ الإدخال في العمل 5 أبريل1988
تاريخ الإدخال في العمل 16 يونيو1988
ترددات الساعة:
16 ميجاهرتز بطاقة مقدرة 2.5 MIPS
25 يناير1989 20 ميجاهرتز بطاقة مقدرة MIPS 2.5 و 25 ميجاهرتز بطاقة مقدرة 2.7 MIPS
26 أكتوبر1992 33 ميجاهرتز بطاقة مقدرة 2.9 MIPS
عرض ممر المعطيات 16 بت
عدد الترانزستورات 275000 على 1 ميكرومتر
الذاكرة القابلة للعنونة 16 ميغابايت
الذاكرة الافتراضية 256 غيغابايت
عرض ممر العناوين 16 بت يسمح بمعالجة بعرض 32 بت بتكاليف منخفضة
يدعم تعدد الوظائف (multitasking)
استعمل في الحواسب المكتبية والمحمولة الأولى
تاريخ الإدخال في العمل 16 يناير1989; أوقف العمل به بتاريخ 15 يونيو2001
أحد معالجات عائلة 386 مخصص للأنظمة المدمجة
من دون "نمط حقيقي"، يقلع مباشرة بوضعية "نمط محمي"
تم استبداله في عام 1994 بالمعالج 80386EX
80860 (i860)
تاريخ الإدخال في العمل 27 فبراير1989
80486DX
تاريخ الإدخال في العمل 10 أبريل1989
تاريخ الإدخال في العمل 15 أكتوبر1990
ترددات الساعة:
20 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 4.21 MIPS
30 سبتمبر1991 25 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 5.3 MIPS
عرض ممر المعطيات 16 بت
عدد الترانزستورات 855000 على 1 ميكرومتر
الذاكرة القابلة للعنونة 4 غيغابايت
الذاكرة الافتراضية 64 تيرابايت
أول رقاقة تم تصميمها بشكل خاص للحواسب المحمولة حيث تتميز باستهلاك منخفض للطاقة
له خصائص مدمجة عالية حيث يتضمن متحكمات الذاكرة المخبئية والذاكرة الرئيسية وممرات النقل
80486SX/DX2/SL، بنتيوم، 80486DX4
تاريخ الإدخال في العمل 1991 - 1994
تاريخ الإدخال في العمل أوغسطس1994
نوع مشابه للمعالج 80386SX مخصص للأنظمة المدمجة
إمكانية التحكم بتردد الساعة وتبطيئ المعالج حتى الصفر باستخدام نمط التوقف الحقيقي الذي يحفظ حالة العمل الكاملة للرقاقة في الذاكرة مع استهلاك أصغري للطاقة
الطرفيات على الرقاقة:
متحكمات الساعة والطاقة
مولدات تزامن (مؤقتات)/عدادات
وحدات دخل/خرج تسلسلية (متزامنة وغير متزامنة) وتفرعية
الوصول المباشر للذاكرة (DMA)
ذلكرة وصول عشولئي متجددة (Refresh RAM)
JTAG دارة الاختبار المنطقية
لاقى نجاحا واسعا أكثر من المعالج 80376
استعمل في الأقمار الاصطناعية كما استخدمته ناسا في مشروعها فلايتلينوكس (FlightLinux)
معالجات 32 بت : عائلة 80486:
تاريخ الإدخال في الشغل 10 أبريل1989
ترددات الساعة:
25 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 20 MIPS
7 مايو1990 33 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 27 MIPS
24 يونيو1991 50 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 41 MIPS
عرض ممر المعطيات 32 بت، ممر العناوين 32 بت
عدد الترانزستورات 1.2 مليون على 1 ميكرومتر (0.8 ميكرومتر لنموذج الـ 50 ميجاهيرتز)
الذاكرة القابلة للعنونة 4 غيغابايت
الذاكرة الافتراضية 64 تيرابايت
تحتوي الرقاقة على ذاكرة مخبئية من المستوى الأول (Level 1 cache) مدمجة، 8 كيلوبايت
تضاعف الآداء 50 مرة عن 8080
استعمل في الحواسب المكتبية والمخدمات
80386SL
تاريخ الإدخال في العمل 15 أكتوبر1990
تاريخ الإدخال في العمل 22 أبريل1991
ترددات الساعة:
16 سبتمبر1991 16 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 13 MIPS و 20ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 16.5 MIPS
16 سبتمبر1991 25 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 20 MIPS
21 سبتمبر1992 33 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 27 MIPS
عرض ممر المعطيات 32 بت، ممر العناوين 32 بت
عدد الترانزستورات 1.185 مليون على 1 ميكرومتر و 900000 على 0.8 ميكرومتر
الذاكرة القابلة للعنونة 4 غيغابايت
الذاكرة الافتراضية 64 تيرابايت
ذاكرة مخبئية من المستوى الأول (Level 1 cache) مدمجة، 8 كيلوبايت
يختلف عن المعالج 80486DX فقط بعدم وجود معالج مساعد رياضي (math coprocessor)
استخدم في الحواسب المكتبية قليلة التكلفة والتي تستعمل معالجات من عائلة 80486
تمت ترقيته بمعالج إنتل المطور (Intel OverDrive)
تاريخ الإدخال في العمل 3 مارس1992
ترددات الساعة:
50 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 41 MIPS
10 أغسطس1992 66 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 54 MIPS
عرض ممر المعطيات 32 بت، ممر العناوين 32 بت
عدد الترانزستورات 1.2 ميليون على 0.8 ميكرومتر
الذاكرة القابلة للعنونة 4 غيغابايت
الذاكرة الافتراضية 64 تيرابايت
ذاكرة مخبئية من المستوى الأول (Level 1 cache) مدمجة، 8 كيلوبايت
استخدم في الحواسب المكتبية ذات الآداء العالي والتكلفة المنخفضة
يستخدم تقنية "مضاعف السرعة" حيث يعمل المعالج داخليا بسرعة تعادل ضعف سرعة الممردراسة معالج انتل زيون
تاريخ الإدخال في العمل 9 نومبر1992
ترددات الساعة:
20 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 15.4 MIPS
25 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 19 MIPS
33 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 25 MIPS
عرض ممر المعطيات 32 بت، ممر العناوين 32 بت
عدد الترانزستورات 1.4 مليون على 0.8 ميكرومتر
الذاكرة القابلة للعنونة 64 ميغابايت
الذاكرة الافتراضية 64 تيرابايت
استخدم في الحواسب المحمولة انتل زيون
بنتيوم
تاريخ الإدخال في العمل 22 مارس، 1993
تاريخ الإدخال في العمل 7 مارس، 1994
ترددات الساعة:
75 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 53 MIPS
100 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 70.7 MIPS
عدد الترانزستورات 1.6 مليون على 0.6 ميكرومتر
عرض ممر المعطيات 32 بت، ممر العناوين 32 بت
الذاكرة القابلة للعنونة 4 غيغابايت
الذاكرة الافتراضية 64 تيرابايت
عدد الأرجل 168 لغطاء بي جي أي (PGA) و 208 لغطاء اس كيو اف بي (SQFP)
مساحة الرقاقة 345 ملم²
استخدم في الحواسب المكتبية متوسطة الكلفة ذات الأداء العالي وفي الحواسب المحمولة عالية الكلفة
معالجات 32 بت : بنتيوم:
بنتيوم Pentium النموذج التقليدي
تاريخ الإدخال في العمل 22 مارس1993
تقنية التصنيع 0.8 ميكرومتر (P5)
عرض ممر المعطيات 64 بت، ممر العناوين 32 بت
تردد نظام الممرات 50 أو 60 أو 66 ميجاهيرتز
عدد الترانزستورات 3.1 مليون
الذاكرة القابلة للعنونة 4 غيغابايت
الذاكرة الافتراضية 64 تيرابايت
غطاء من نوع بي جي اي ذو مقبس سوكيت 4 بـ 273 رجل
أبعاد الغطاء 2.16 إنش × 2.16 إنش
معالجة فائقة التدرج أتاحت مضاعفة الآداء 5 مرات عن معالج 486DX ذو التردد 33 ميجاهيرتز
يعمل بجهد 5 فولت
استخدم في الحواسب المكتبية
16 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الأول (L1 cache)
الأصناف
60 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 100 MIPS
66 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 112 MIPS
تقنية التصنيع 0.6 ميكرومتر (P54C)
غطاء من نوع بي جي اي ذو مقبس سوكيت 7 بـ 321/296 رجل
عدد الترانزستورات 3.2 ميليون
75 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 10 أكتوبر1994
90 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 7 مارس1994
100 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 7 مارس1994
120 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 27 مارس1995
تقنية التصنيع 0.35 ميكرومتر (P54C)
عدد الترانزستورات 3.3 ميليون
مساحة الرقاقة 90 ملم²
120 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل مارس 1995
133 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل يونيو 1995
150 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 4 يناير1996
166 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 4 يناير1996
200 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 10 يونيو1996
80486DX4
تاريخ الإدخال في العمل 7 مارس1994
80386EX (Intel386 EX)
تاريخ الإدخال في العمل أغسطس 1994
Pentium Pro
تاريخ الإدخال في العمل نوفمبر 1995
بنتيوم إم إم إكس Pentium MMX
تاريخ الإدخال في العمل 8 يناير1997
تقنية التصنيع 0.35 ميكرومتر (P55C)
تعليمات إنتل إم إم إكس (Intel MMX Instructions)
غطاء من نوع بي جي اي ذو مقبس سوكيت 7 بـ 321/296 رجل
32 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الأول (L1 cache)
عدد الترانزستورات 4.5 ميليون
تردد نظام الممرات 66 ميجاهيرتز
الأصناف
166 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 8 يناير1997
200 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 8 يناير1997
233 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 2 يونيو1997
166 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 12 يناير1998
200 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 8 سبتمبر1997
233 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 8 سبتمبر1997
266 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 12 يناير1998
300 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 7 يناير1999
معالجات 32 بت: بنتيوم برو، بنتيوم II، سيليرون، بنتيوم III، بنتيوم إم:
بنتيوم برو Pentium Pro
تاريخ الإدخال في العمل 1 نوفمبر1995
تقنية التصنيع 0.6 ميكرومتر
غطاء من نوع إس بي جي أي الثنائي (Dual SPGA) ذو مقبس سوكيت 8 بـ 387 رجل
عدد الترانزستورات 22 مليون
16 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الأول (L1 cache)
256 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية المدمجة من المستوى الثاني (L2 cache)
تردد ممرات النظام 60 ميجاهيرتز
الأصناف
155 ميجاهيرتز
تقنية التصنيع 0.35 ميكرومتر أو 0.35 ميكرومتر CPU و 0.6 ميكرومتر L2 cache
عدد الترانزستورات 36.5 مليون أو 22 مليون
512 كيلو بايت أو 256 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية المدمجة من المستوى الثاني (L2 cache)
تردد ممرات النظام 60 أو 66 ميجاهيرتز
الأصناف
166 ميجاهيرتز (66 ميجاهيرتز تردد الممر، 512 كيلو بايت 0.35 ميكرومتر ذاكرة مخبئية) تاريخ الإدخال في العمل 1 نوفمبر1995
180 ميجاهيرتز (60 ميجاهيرتز تردد الممر، 256 كيلو بايت 0.6 ميكرومتر ذاكرة مخبئية) تاريخ الإدخال في العمل 1 نوفمبر1995
200 ميجاهيرتز (66 ميجاهيرتز تردد الممر، 256 كيلو بايت 0.6 ميكرومتر ذاكرة مخبئية) تاريخ الإدخال في العمل 1 نوفمبر1995
200 ميجاهيرتز (66 ميجاهيرتز تردد الممر، 512 كيلو بايت 0.35 ميكرومتر ذاكرة مخبئية) تاريخ الإدخال في العمل 1 نوفمبر1995
200 ميجاهيرتز (66 ميجاهيرتز تردد الممر، 1 ميغابايت 0.35 ميكرومتر ذاكرة مخبئية) تاريخ الإدخال في العمل 18 أغسطس1997
تاريخ الإدخال في العمل 7 مايو1997
بنية (Klamath) بتقنية تصنيع 0.35 ميكرومتر (233، 266، 300 ميجاهيرتز)
مطابق لبنتيوم برو مع إضافة تعليمات MMX وتطوير دعم تطبيقات 16 بت
غطاء من نوع إس إي سي (SEC، Single Edge Contact) ذو منفذ سلوت 1 بـ 242 رجل
عدد الترانزستورات 7.5 مليون
تردد ممرات النظام 66 ميجاهيرتز
32 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الأول (L1 cache)
256 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية الخارجية من المستوى الثاني (L2 cache)، تعمل بنصف سرعة المعالج.
الأصناف
233 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 7 مايو1997
266 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 7 مايو1997
300 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 7 مايو1997
بنية (Deschutes) بتقنية تصنيع 0.25 ميكرومتر (333، 350، 400، 450 ميجاهيرتز)
تاريخ الإدخال في العمل 26 يناير1998
تردد ممرات النظام 66 ميجاهيرتز (للصنف 333ميجاهيرتز فقط)، 100ميجاهيرتز لباقي الأصناف
الأصناف
333 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 26 يناير1998
350 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 15 أبريل1998
400 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 15 أبريل1998
450 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 24 أغسطس1998
233 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 2 أبريل1998
266 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 2 أبريل1998
300 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 9 سبتمبر1998
333 ميجاهيرتز (محمول)
سيليرون Celeron يعتمد على بنتيوم II
تاريخ الإدخال في العمل 15 أبريل1998
بنية (Covington) بتقنية تصنيع 0.25 ميكرومتر
غطاء من نوع إس إي بي بي (SEPP، Single Edge Processor Package) ذو منفذ سلوت 1 بـ 242 رجل
عدد الترانزستورات 7.5 مليون
تردد ممرات النظام 66 ميجاهيرتز
32 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الأول (L1 cache)
لا توجد ذاكرة مخبئية من المستوى الثاني
الأصناف
266 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 15 أبريل1998
300 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 9 يونيو1998
بنية (Mendocino) بتقنية تصنيع 0.25 ميكرومتر
تاريخ الإدخال في العمل 24 أغسطس1998
غطاء من نوع إس إي بي بي (SEPP، Single Edge Processor Package) ذو منفذ سلوت 1 بـ 242 رجل، غطاء من نوع بي بي جي اي (PPGA) ذو مقبس سوكيت 370
عدد الترانزستورات 19 مليون
تردد ممرات النظام 66 ميجاهيرتز
32 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الأول (L1 cache)
128 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية المدمجة من المستوى الثاني (L2 cache)
الأصناف
300A ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 24 أغسطس1998
333 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 24 أغسطس1998
366 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 4 يناير1999
400 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 4 يناير1999
433 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 22 مارس1999
466 ميجاهيرتز
500 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 2 أغسطس1999
533 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 4 يناير2000
266 ميجاهيرتز (محمول)
300 ميجاهيرتز (محمول)
333 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 5 أبريل1999
366 ميجاهيرتز (محمول)
400 ميجاهيرتز (محمول)
433 ميجاهيرتز (محمول)
450 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 14 فبراير2000
466 ميجاهيرتز (محمول)
500 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 14 فبراير2000
بنتيوم II زيون Xion (
تاريخ الإدخال في العمل 29 يونيو1998
تاريخ الإدخال في العمل 26 فبراير1999
بنية (Katmai) بتقنية تصنيع 0.25 ميكرومتر
بنتيوم II مطور، إضيفة له تعليمات إس إس إي (SSE)، توسعة تدفق تعليمة وحيدة - بيانات متعددة
عدد الترانزستورات 9.5 مليون
32 كيلو بايت (16 بيانات + 16 تعليمات) من الذاكرة المخبئية من المستوى الأول (L1 cache)
512 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية الخارجية من المستوى الثاني (L2 cache)، تعمل بنصف سرعة المعالج.
غطاء من نوع إس إي سي سي2 (SECC2، Single Edge Contact cartridge 2) ذو منفذ سلوت 1 بـ 242 رجل
تردد ممرات النظام 100 ميجاهيرتز
الأصناف
450 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 26 فبراير1999
500 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 26 فبراير1999
550 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 17 مايو1999
600 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 2 أغسطس1999
533 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل (تردد الممر 133 ميجاهيرتز) 27 سبتمبر1999
600 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل (تردد الممر 133 ميجاهيرتز) 27 سبتمبر1999
بنية كوبرماين (Coppermine) بتقنية تصنيع 0.18 ميكرومتر
تاريخ الإدخال في العمل 25 أكتوبر1999
عدد الترانزستورات 28.1 مليون
32 كيلو بايت (16 بيانات + 16 تعليمات) من الذاكرة المخبئية من المستوى الأول (L1 cache)
256 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية المدمجة من المستوى الثاني (L2 cache)، تعمل بسرعة المعالج.
غطاء من نوع إس إي سي سي2 (SECC2، Single Edge Contact cartridge 2) ذو منفذ سلوت 1 بـ 242 إبرة ومن نوع اف سي-بي جي اي (FC-PGA، Flip-chip pin grid array) ذو 370 إبرة
تردد ممرات النظام 100 ميجاهيرتز، 133 ميجاهيرتز
الأصناف
500 ميجاهيرتز (تردد الممر 100 ميجاهيرتز)
533 ميجاهيرتز
550 ميجاهيرتز (تردد الممر 100 ميجاهيرتز)
600 ميجاهيرتز
600 ميجاهيرتز (تردد الممر 100 ميجاهيرتز)
650 ميجاهيرتز (تردد الممر 100 ميجاهيرتز) تاريخ الإدخال في العمل 25 أكتوبر1999
667 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 25 أكتوبر1999
700 ميجاهيرتز (تردد الممر 100 ميجاهيرتز) تاريخ الإدخال في العمل 25 أكتوبر1999
733 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 25 أكتوبر1999
750 ميجاهيرتز (تردد الممر 100 ميجاهيرتز) تاريخ الإدخال في العمل 20 ديسمبر1999
800 ميجاهيرتز (تردد الممر 100 ميجاهيرتز) تاريخ الإدخال في العمل 20 ديسمبر1999
800 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 20 ديسمبر1999
850 ميجاهيرتز (تردد الممر 100 ميجاهيرتز) تاريخ الإدخال في العمل 20 مارس2000
866 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 20 مارس2000
933 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 24 مايو2000
1000 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 8 مارس2000 (لم يكن متوفرا بشكل واسع عند الإصدار)
400 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 25 أكتوبر1999
450 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 25 أكتوبر1999
500 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 25 أكتوبر1999
600 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 18 يناير2000
650 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 18 يناير2000
700 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 24 أبريل2000
750 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 19 يونيو2000
800 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 25 سبتمبر2000
850 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 25 سبتمبر2000
900 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 19 مارس2001
1000 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 19 مارس2001
بنية (Tualatin) بتقنية تصنيع 0.13 ميكرومتر
تاريخ الإدخال في العمل يوليو 2001
عدد الترانزستورات 28.1 مليون
32 كيلو بايت (16 بيانات + 16 تعليمات) من الذاكرة المخبئية من المستوى الأول (L1 cache)
256 كيلو بايت أو 512 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية المدمجة من المستوى الثاني (L2 cache)، تعمل بسرعة المعالج.
غطاء من نوع اف سي-بي جي اي (FC-PGA، Flip-chip pin grid array) ذو 370 إبرة
تردد ممرات النظام 133 ميجاهيرتز
الأصناف
1133 ميجاهيرتز (512 كيلوبايت L2)
1200 ميجاهيرتز
1266 ميجاهيرتز (512 كيلوبايت L2)
1333 ميجاهيرتز
1400 ميجاهيرتز (512 كيلوبايت L2)
بنتيوم II و III زيون(Xeon)
بنتيوم II زيون (PII Xeon)
الأصناف
400 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 29 يونيو1998
450 ميجاهيرتز (512 كيلوبايت L2 Cache) تاريخ الإدخال في العمل 6 أكتوبر1998
450 ميجاهيرتز (1-2 ميغابايت L2 Cache) تاريخ الإدخال في العمل 5 يناير1999
بنتيوم III كزيون (PIII Xeon)
تاريخ الإدخال في العمل 25 أكتوبر1999
عدد الترانزستورات: 9.5 مليون على 0.25 ميكرومتر أو 28 مليون على 0.18 ميكرومتر
256 كيلوبايت أو 1-2 ميغابايت من الذاكرة المخبئية المدمجة من المستوى الثاني (L2 cache)، تعمل بسرعة المعالج.
غطاء من نوع إس إي سي سي2 (SECC2، Single Edge Contact cartridge 2) أو إس سي 330 (SC330)
تردد ممرات النظام 133 ميجاهيرتز (256 كيلو بايت L2) أو 100 ميجاهيرتز (1 - 2 ميغابايت L2)
عرض ممرات النظام 64 بت
الذاكرة القابلة للعنونة 64 غيغابايت
يستخدم في المخدمات ثنائية الإتجاه (two-way servers) وفي محطات العمل (256 كيلوبايت L2) أو المخدمات رباعية وثمانية الإتجاه (1 - 2 ميغابايت L2)
الأصناف
500 ميجاهيرتز (تقنية تصنيع 0.25 ميكرومتر) تاريخ الإدخال في العمل 17 مارس1999
550 ميجاهيرتز (تقنية تصنيع 0.25 ميكرومتر) تاريخ الإدخال في العمل 23 أغسطس1999
600 ميجاهيرتز (تقنية تصنيع 0.18 ميكرومتر، 256 كيلوبايت L2) تاريخ الإدخال في العمل 25 أكنوبر1999
667 ميجاهيرتز (تقنية تصنيع 0.18 ميكرومتر، 256 كيلوبايت L2) تاريخ الإدخال في العمل 25 أكنوبر1999
733 ميجاهيرتز (تقنية تصنيع 0.18 ميكرومتر، 256 كيلوبايت L2) تاريخ الإدخال في العمل 25 أكنوبر1999
800 ميجاهيرتز (تقنية تصنيع 0.18 ميكرومتر، 256 كيلوبايت L2) تاريخ الإدخال في العمل 12 يناير2000
866 ميجاهيرتز (تقنية تصنيع 0.18 ميكرومتر، 256 كيلوبايت L2) تاريخ الإدخال في العمل 10 أبريل2000
933 ميجاهيرتز (تقنية تصنيع 0.18 ميكرومتر، 256 كيلوبايت L2)
1000 ميجاهيرتز (تقنية تصنيع 0.18 ميكرومتر، 256 كيلوبايت L2) تاريخ الإدخال في العمل 22 أغسطس2000
700 ميجاهيرتز (تقنية تصنيع 0.18 ميكرومتر، 1-2 ميغابايت L2) تاريخ الإدخال في العمل 22 مايو2000
سيليرون بنتيوم III يعتمد على بنية كوبرماين
تاريخ الإدخال في العمل مارس 2000
بنية كوبرماين- 128 (128 Coppermine) بتقنية تصنيع 0.18 ميكرومت
تعليمات إس إس إي (SSE)، توسعة تدفق تعليمة وحيدة - بيانات متعددة
غطاء من نوع بي بي جي اي (PPGA) ذو مقبس سوكيت 370
عدد الترانزستورات 28.1 مليون
تردد ممرات النظام 66 ميجاهيرتز، 100 ميجاهيرتز في 3 يناير2001
32 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الأول (L1 cache)
128 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الثاني (L2 cache)، تعمل بسرعة المعالج.
الأصناف
533 ميجاهيرتز
566 ميجاهيرتز
633 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 26 يونيو2000
667 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 26 يونيو2000
700 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 26 يونيو2000
733 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 13 نوفمبر2000
766 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 13 نوفمبر2000
800 ميجاهيرتز
850 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 9 أبريل2001
900 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 2 يوليو2001
950 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 31 أغسطس2001
1000 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 31 أغسطس2001
1100 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 31 أغسطس2001
1200 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 2 أكتوبر2001
1300 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 3 يناير2002
550 ميجاهيرتز (محمول)
600 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 19 يونيو2000
650 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 19 يونيو2000
700 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 25 سبتمبر، 2000
750 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 19 مارس2001
800 ميجاهيرتز (محمول)
850 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 2 يوليو2001
600 ميجاهيرتز (جهد منخفض محمول)
500 ميجاهيرتز (جهد شديد الانخفاض محمول) تاريخ الإدخال في العمل 30 يناير2001
600 ميجاهيرتز (جهد شديد الانخفاض محمول)
اكسكيل XScale
تاريخ الإدخال في العمل 23 أغسطس2000
بنتيوم 4، اتانيوم، كزيون مبني على بنتيوم 4، اتانيوم
تاريخ الإدخال في العمل أبريل 2000 – يوليو 2002
سيليرون بنتيوم III يعتمد على بنية توالاتين
32 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الأول (L1 cache)
256 كيلو بايت ن الذاكرة المخبئية من المستوى الثاني (L2 cache)، تعمل بسرعة المعالج.
تردد ممرات النظام 100 ميجاهيرتز
الأصناف
1.0 غيغاهيرتز
1.1 غيغاهيرتز
1.2 غيغاهيرتز
1.3 غيغاهيرتز
1.4 غيغاهيرتز
تاريخ الإدخال في العمل مارس 2003
بنية (Banias) بتقنية التصنيع 0.13 ميكرومتر
64 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الأول (L1 cache)
1 ميجا بايت من الذاكرة المخبئية المدمجة من المستوى الثاني (L2 cache)
مبني على نواة بنتيوم III مع تعليمات إس إس إي (SSE)(توسعة تدفق تعليمة وحيدة - بيانات متعددة) ومعالجة تدفقية مطورة
عدد الترانزستورات 77 مليون
غطاء المعالج من نوع Micro-FCPGA و Micro-FCBGA
أساس أنظمة إنتل موبيال سنترينو (Intel mobile Centrino)
ممرات نظام ذوة تصميم Netburst بتردد 400 ميجاهيرتز.
الأصناف
900 ميجاهيرتز (جهد شديد الانخفاض)
1.0 جيجاهيرتز (جهد شديد الانخفاض)
1.1 جيجاهيرتز (جهد منخفض)
1.2 جيجاهيرتز (جهد منخفض)
1.3 جيجاهيرتز
1.4 جيجاهيرتز
1.5 جيجاهيرتز
1.6 جيجاهيرتز
1.7 جيجاهيرتز
بنية (Dothan) بتقنية التصنيع 0.09 ميكرومتر
تاريخ الإدخال في العمل مايو 2004
2 ميجا بايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الثاني (L2 cache)
Revised data prefetch unit
الأصناف
1.0 جيجاهيرتز (جهد شديد الانخفاض)
1.1 جيجاهيرتز (جهد شديد الانخفاض)
1.2 جيجاهيرتز (جهد شديد الانخفاض)
1.3 جيجاهيرتز (جهد شديد الانخفاض)
1.3 جيجاهيرتز (جهد منخفض)
1.4 جيجاهيرتز (جهد منخفض)
1.5 جيجاهيرتز
1.6 جيجاهيرتز
1.7 جيجاهيرتز
1.8 جيجاهيرتز
1.9 جيجاهيرتز
2.0 جيجاهيرتز
2.13 جيجاهيرتز
2.26 جيجاهيرتز
نواة إنتل Intel Core
تاريخ الإدخال في العمل January 2006
Yonah 0.065 ميكرومتر (65 nm) تقنية التصنيع
667 ميجاهيرتزناقل أمامي 2 ميجا بايت (Shared on Duo) L2 cache
الأصناف:
Intel Core Duo T2600 2.16 جيجاهيرتز (أبلماك بوك برو - Feb 06)
Intel Core Duo T2500 2.00 جيجاهيرتز (أبلآي ماك، ماك بوك برو - Jan 06)
Intel Core Duo T2400 1.83 جيجاهيرتز (أبلماك بوك برو - Feb 06)
Intel Core Duo T2300 1.66 جيجاهيرتز (أبلماك ميني -Mar 06)
Intel Core Solo T1300 1.66 جيجاهيرتز
Banias-512 0.13 ميكرومتر تقنية التصنيع
تاريخ الإدخال في العمل March 2003
64 كيلو بايت L1 cache
512 كيلو بايت L2 cache (integrated)
No SpeedStep technology، is not part of the 'سنترينو' package
الأصناف
310 - 1.20 جيجاهيرتز
320 - 1.30 جيجاهيرتز
330 - 1.40 جيجاهيرتز
340 - 1.50 جيجاهيرتز
Dothan-1024 90 nm تقنية التصنيع
64 كيلو بايت L1 cache
1 ميجا بايت L2 cache (integrated)
No SpeedStep technology، is not part of the 'سنترينو' package
الأصناف
350 - 1.30 جيجاهيرتز
350J - 1.30 جيجاهيرتز، with Execute Disable bit
360 - 1.40 جيجاهيرتز
360J - 1.40 جيجاهيرتز، with Execute Disable bit
370 - 1.50 جيجاهيرتز، with Execute Disable bit
380 - 1.60 جيجاهيرتز، with Execute Disable bit
390 - 1.70 جيجاهيرتز، with Execute Disable bit
نواة مزدوجة زيون Xeon LV
تاريخ الإدخال في العمل March 2006
Sossaman 0.065 ميكرومتر (65 nm) تقنية التصنيع
667 ميجاهيرتز frontside bus 2 ميجا بايت Shared L2 cache
الأصناف
2.0 جيجاهيرتز
معالجات 32 بت: عائلة بنتيوم 4:
تقنية تصنيع 0.18 ميكرومتر (1.40 و 1.50 جيجاهيرتز)
تاريخ الإدخال في العمل 20 نوفمبر2000
256 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية المدمجة من المستوى الثاني (L2 cache)
غطاء من نوع بي جي اي 423، بي جي اي 478
تردد ممرات النظام 400 ميجاهيرتز
تعليمات إس إس إي 2 (SSE2)، توسعة تدفق تعليمة وحيدة - بيانات متعددة
عدد الترنزستورات 42 مليون
يستخدم في الحواسب المكتبية ومحطات العمل
تقنية تصنيع 0.18 ميكرومتر(1.7 جيجاهيرتز)
تاريخ الإدخال في العمل 23 أبريل2001
نفس خصائص الرقائق 1.4 و 1.5 جيجاهيرتز
تقنية التصنيع 0.18 ميكرومتر (1.6، 1.8 جيجاهيرتز)
تاريخ الإدخال في العمل 2 يوليو2001
نفس خصائص الرقائق 1.4 و 1.5 جيجاهيرتز
تعمل النواة بجهد 1.15 فولت في نمط الآداء الأعظمي وبجهد 1.05 في نمط المدخرة (البطارية) المحسن
الاستطاعة <1 واط في نمط المدخرة المحسن
يستخدم في الحواسب المحمولة
تقنية تصنيع 0.18 ميكرومتر ببنيةWillamette (1.9، 2.0 جيجاهيرتز)
تاريخ الإدخال في العمل 27 أغسطس2001
نفس خصائص الرقائق 1.4 و 1.5 جيجاهيرتز
بنتيوم 4 (2 جيجاهيرتز، 2.20 جيجاهيرتز)
تاريخ الإدخال في العمل 7يناير2002
بنتيوم 4 (2.4 جيجاهيرتز)
تاريخ الإدخال في العمل 2 أبريل 2002
0.13 ميكرومتر; تقنية تصنيع Northwood A (1.7، 1.8، 1.9، 2، 2.2، 2.4، 2.5، 2.6 جيجاهيرتز)
تقنية توقع التفرع محسنة
512 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الثاني (L2 cache)
عدد الترنزستورات 55 مليون
تردد ممرات النظام 400 ميجاهيرتز.
0.13 ميكرومتر; تقنية تصنيع Northwood B (2.26، 2.4، 2.53، 2.66، 2.8، 3.06 جيجاهيرتز)
تردد ممرات النظام 533 ميجاهيرتز. (3.06 يتضمن تقنية التشعب الفائق).
0.13 ميكرومتر; تقنية تصنيع Northwood C (2.4، 2.6، 2.8، 3.0، 3.2، 3.4 جيجاهيرتز)
تردد ممرات النظام 800 ميجاهيرتز (جميع النماذج تستخدم تقنية التشعب الفائق)
الطاقة المقدرة من 6500 إلى 10000 MIPS
Itanium
تاريخ الإدخال في العمل 2001
زيون Xeon
1.4، 1.5، 1.7 جيجاهيرتز
تاريخ الإدخال في العمل 21 مايو2001
256 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية المدمجة من المستوى الثاني (L2 cache)، تعمل بسرعة المعالج.
غطاء من نوع أو ايل جي أي 603 (OLGA 603)
تردد ممرات النظام 400 ميجاهيرتز
تعليمات إس إس إي 2 (SSE2)، توسعة تدفق تعليمة وحيدة - بيانات متعددة
يستخدم في محطات العمل فائقة الآداء ذات المعالجات الثنائية
2.0 جيجاهيرتز وحتى 3.6 جيجاهيرتز
تاريخ الإدخال في العمل 25 سبتمبر2001
Itanium 2
تاريخ الإدخال في العمل July 2002
بنتيوم 4 موبايل-M Mobile Pentium 4-M
تقنية التصنيع 0.13 ميكرومتر
55 مليون ترانزيستور
512 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الثاني (L2 cache)
تردد ممرات النظام 400 ميجاهيرتز
يدعم 1 غيغابايت من الذاكرة الرئيسية ذات معدل نقل البيانات المضاعف وتردد 266 ميجاهيرتز DDR 266
يدعم نظم إدارة الطاقة ACPI 2.0 و APM 1.2
1.3 V - 1.2 V (سبيدستيب SpeedStep)
الاستطاعة: 1.2 جيجاهيرتز 20.8 واط، 1.6 جيجاهيرتز 30 واط، 2.6 جيجاهيرتز 35 واط
الاستطاعة في وضع السبات 5 واط (1.2 فولت)، 2.9 واط (1.0 فولت)
2.60 جيجاهيرتز - 11 يونيو 2003
2.50 جيجاهيرتز - 16 أبريل 2003
2.40 جيجاهيرتز - 14 يناير 2003
2.20 جيجاهيرتز - 16 سبتمبر 2002
2.00 جيجاهيرتز - 24 يونيو 2002
1.90 جيجاهيرتز - 24 يونيو 2002
1.80 جيجاهيرتز - 23 أبريل 2002
1.70 جيجاهيرتز - 23 أبريل 2002
1.60 جيجاهيرتز - 23 أبريل 2002
1.50 جيجاهيرتز - 4 مارس 2002
1.40 جيجاهيرتز - 4 مارس 2002
بواسطة م/الضو موسى-ود الكسمبر
بنتيوم 4 اكستريم اديشن Pentium 4 EE
تاريخ الإدخال في العمل September 2003
يعتمد في تصميمه على نواة غالاتين (Gallatin) لمعالج كزيون ولكن بذاكرة مخبئية 2 ميغابايت
بنتيوم 4E
تاريخ الإدخال في العمل فبراير 2004
بنية بريسكوت Prescott (2.4A، 2.8، 2.8A، 3.0، 3.2، 3.4، 3.6، 3.8) بتقنية تصنيع 0.09 ميكرومتر
1 ميغا بايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الثاني (L2 cache)
تردد ممرات النظام 533 ميجاهيرتز (2.4A 2.8A)
تردد ممرات النظام 800 ميجاهيرتز ()
تقنية التشعب الفائق مدعومة في المعالجات ذات تردد ممر المعطيات 800 ميجاهيرتز.
زيادة عدد مراحل المعالج التدفقية من 20 إلى 31 مرحلة مما يسمح نظريا بزيادة تردد الساعة
الطاقة المقدرة من 7500 إلى 11000 MIPS
المعالجات من طراز 5xx تحتوي على مقبس LGA-775 ومن طراز 5x1 تدعم توسيعة EM64T
المعالجات ن طراز 6xx تدعم توسيعة EM64T وتحتوي على 2 ميغابايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الثاني (L2 cache)
بنتيوم 4F
تاريخ الإدخال في العمل Spring 2004
نواة مماثلة لنواة بنتيوم4E
3.2 - 3.6 جيجاهيرتز
معالجات 64 – بت : ايتانيوم
New instruction set، not at all related to x86
Current IA-64 processors support 32-bit x86 in hardware، but slowly
إيتانيوم Itanium
733 ميجاهيرتز and 800 ميجاهيرتز
Released July 2002
Pentium M
Introduced March 2003
Pentium 4EE، 4E
Introduced September 2003، February 2004، respectively
The 64-bit processors إكس86-64
Intel® Extended Memory 64 Technology
Introduced Spring 2004، with the Pentium 4F (D0 and later P4 steppings)
64-بت architecture extension for the إكس 86 range; near clone of إكس86-64
بنتيوم 4F، وما بعده
Starting with the D0 stepping of this processor، EM64T 64-bit extensions are supported
Introduced Q2 2005
Smithfieldمعالج متعدد اللب version
2.8–3.4 جيجاهيرتز
1 ميجا بايت + 1 ميجا بايت L2 cache (non-shared، 2 ميجا بايت total)
800 ميجاهيرتز system-bus
Not hyperthreading، performance increase of 60% over similarly clocked Prescott
Cache-coherency between cores requires communication over the 800 ميجاهيرتز FSB
updated Pentium D 65 nanometer "Presler"-double core to increase yields 2.8-3.4 جيجاهيرتز 2 ميجا بايت + 2 ميجا بايت L2 cache (non-shared) 800 ميجاهيرتزsystem bus no hyperthreading
بنتيوم إكستريم إديشن Pentium Extreme Edition رقم 955
Presler Core
3.46 جيجاهيرتز Clock Speed
Enabled Hyper Threading
2 x 2 ميجا بايت of memory cache
سنترينو 2
طقم الشرائح Intel® 45 Express ورقاقة وصلة واي فاي اللاسلكية Intel® WiFi Link 5000 اللتين بدأ تسويقهما للعملاء في الوقت الحالي،
وتوفر وصلة إنتل Intel Wi-Fi Link 5000 خمسة أضعاف السرعة وضعفي مدى التغطية مقارنة بتكنولوجيا 802.11a/g السابقة، وتدعم هذه الوصلة مسودة معيار الاتصال اللاسلكي 802.11n الذي يقدم أكبر سرعة ممكنة في نقل البيانات اليوم - وتصل إلى 450 ميجابت في الثانية.
تتوافق خاصية التبديل بين البطاقات الرسومية، وهي ميزة اختيارية جديدة لتوفير الطاقة في الحاسبات المحمولة المزودة بتكنولوجيا إنتل سنترينو 2،
مع البطاقات الرسومية (التي تعرف بكروت الشاشة) المدمجة والمنفصلة في نفس الوقت على نفس الحاسب المحمول، مما يمكِّن المستخدمين من التبديل والانتقال بسهولة بين البطاقتين. وتقدم خاصية التبديل بين البطاقات الرسومية أداءً أفضل في تطبيقات الأبعاد الثلاثية عند الحاجة،
مع إمكانية تحقيق وفرة كبيرة في الطاقة، للحصول على أفضل ما في الحالتين.
تقدم تكنولوجيا المعالجات إنتل سنترينو 2 للمستهلكين قوة المعالجة وعمر البطارية اللازمين للاستمتاع بفيلم فيديو كامل على قرص Blu-ray عالي
التحديد باستخدام عملية شحن واحدة للبطارية للمرة الأولى، إضافة إلى القدرة على تشغيل مجموعة متنوعة من ألعاب الإنترنت وتنزيل الموسيقى
أو تنزيل ملفات الموسيقى أو إرسال مقاطع الفيديو بسرعة أكبر من ذي قبل.
أما للشركات، تقدم تكنولوجيا معالجات إنتل سنترينو 2 مع تكنولوجيا vPro تحسينات جوهرية في خيارات الإدارة والحماية.
وتزداد أهمية ذلك مع استغناء الشركات عن حاسباتها المكتبية واعتماد الحاسبات المحمولة بدلاً منها وتزايد الحاجة لتهيئة وإعداد الأجهزة المحمولة
وتحديثها وتشخيص أعطالها عن بعد عبر الشبكة اللاسلكية.
كما تمت إضافة القدرة الفعالة المحسنة للإدارة بفضل تكنولوجيا AMT 4.0 لإتاحة الإدارة لاسلكياً خلال حالة نوم النظام،
مع إمكانات الإعداد والتهيئة عن بعد ودعم الجيل الجديد من معايير الإدارة (WS-MAN وDASH 1.0) وقدرة الموظف على الاتصال بقسم تكنولوجيا المعلومات بعيدا عن حاجز الحماية بالشركة.
